業界初の1700V窒化ガリウム（GaN）スイッチがInnoMux-2 ICシリーズの新製品で利用可能になり、GaN技術の応用範囲が大幅に拡大されました。

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Power IntegrationsのQspeed Hシリーズダイオードは、650Vおよび最大30Aの定格で利用可能です。これらは、シリコンカーバイド（SiC）ダイオードに対する魅力的な代替手段を提供し、同等の効率と電圧降格性能を提供しながら、シリコンダイオードの有利な価格と供給保証を提供します。