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PowiGaN 技術

PowiGaNは、Power Integrationsが独自に開発した窒化ガリウム(GaN)技術です。PowiGaNスイッチは、PIの高集積オフラインフライバックスイッチャICの一次側にある従来のシリコントランジスタに代わり、スイッチング損失を削減し、シリコン代替品よりも効率的で、より小型で軽量な充電器、アダプタ、およびオープンフレーム電源を実現します。

Power IntegrationsはGaN技術の進歩を引き続きリードし、スイッチング電圧を拡大し、GaNを最も要求の厳しいアプリケーションでも信頼できる半導体技術として成熟させています。


広範囲なアプリケーション向けの高電圧GaNパワーデバイスを先駆けて

InnoSwitch3-EP - 家電および産業用途向け

  • 750 V、900 V、1250 V PowiGaNスイッチ
  • 世界で最も高電圧の単一スイッチGaN電源ICは、現在シリコンカーバイド(SiC)技術でサービスされている多くのアプリケーションにGaNの効率向上の恩恵をもたらします。

InnoSwitch3-AQ - AEC-Q100 認定、自動車用途向け

  • 750 V または 900 V PowiGaNスイッチ
  • 900 Vの自動車認定GaNパワーデバイスは、400 BEVシステムで12 V鉛蓄電池を置き換えるための理想的なソリューションを提供します。

InnoMux2-EP - 複数の出力を持つフライバック電源向け

  • 750 V PowiGaNスイッチ
  • 複数の独立して調整可能な出力を持つ初の単一段フライバックソリューションは、ポストレギュレータを不要にし、アクティブクランプなしでゼロ電圧スイッチング(ZVS)を実現します。

HiperPFS-5 - 力率補正IC

  • 750 V PowiGaNスイッチ
  • GaN技術を採用した初のPFCコントローラICは、0.98の力率を実現し、PFCステージで大型ヒートシンクを不要にします。最大250 Wの出力に対応し、並列にスタックして最大500 Wまで対応可能です。

USB PDおよび高速充電における最高レベルの統合

  • InnoSwitch5-Pro - 900 V PowiGaN、アクティブクランプなしでZVSを実現、USB PD拡張電力範囲をサポート
  • InnoSwitch4-Pro - 750 V PowiGaN、ClampZeroでZVS、I²Cインターフェースでデジタル制御可能
  • InnoSwitch4-CZ - 750 V PowiGaN、最大効率を達成するClampZeroとZVS
  • InnoSwitch3-PD - 750 V PowiGaN、USB-CおよびUSB PDコントローラ内蔵
  • InnoSwitch3-Pro - 750 V PowiGaN、I²Cインターフェースでデジタル制御可能

その他...

  • InnoSwitch3-CP - 750 V PowiGaN、定電力充電向け
  • LYTSwitch-6 - 750 V PowiGaN、LED照明およびバラスト向け
  • MinE-CAP - InnoSwitch ICとペアリングして充電器のコンデンササイズを縮小

標準を設定する品質と信頼性

GaNデバイスは、2018年秋にPower IntegrationsがPowiGaNベースの製品を出荷し始めたときに初めて商業的に利用可能になりました。それ以来、PowiGaNスイッチは非常に低い故障率で1兆時間以上の動作を達成しています。

業界がGaNデバイスの信頼性評価を標準化し始める中、Power Integrationsは、業界基準を満たすだけでなく、このエキサイティングな新技術の信頼性を定義するリーダーであり続けます。

信頼性はGaN開発の最前線にあり、すべてのPowiGaN製品は従来のベンチマークとGaN特有のベンチマークの両方を超える厳格なテストを受けています。PIのマーケティングおよびアプリケーションエンジニアリング担当副社長のDoug Baileyが、このビデオでPowiGaNの品質、堅牢性、および信頼性を解説しています。


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