PowiGaN技術協助實現新一代AI資料中心
AI運算的需求正在推動資料中心電源架構朝向更高效率和功率密度的方向發展。Power Integrations (PI)在一份新的白皮書中闡述了 1250 V 和 1700V PowiGaN氮化鎵(GaN) 技術在新一代電源架構中的應用能力。這份白皮書發佈於2025年開放運算項目全球峰會 (2025 OCP Global Summit)，會上 NVIDIA 分享了關於轉化為 800 VDC 資料中心電源架構以支持兆瓦級機架的觀點。
了解 2025 年 OCP 峰會上有關 800 VDC 架構的最新訊息
1250 V / 1700 V PowiGaN 非常適合 800 VDC AI 資料中心應用
PI 業界首款 1250 V PowiGaN HEMT 可完美滿足 800 VDC 架構的功率密度和效率需求 (>98%)。
與堆疊式 650 V GaN FET 和同級的 1200 V SiC 器件相比，單一 1250 V PowiGaN 開關可實現更高的功率密度和效率。相較於 SiC，GaN 能夠實現更高的開關切換頻率，在保持高效率的同時，為滿足 AI 資料中心等應用日益增長的功率密度需求提供了可行的途徑。
- 共源共柵結構可提供更簡單的柵極驅動、更強大的短路承受力、更安全的切斷特性
- 高開關頻率可實現更高的效率和溫升性能
- 深受認可的可靠性記錄
- 效率極高的功率變換，損耗降低33%
PowiGaN 擁有獨特的優勢
Power Integrations 以領先業界的先進氮化鎵功率半導體技術聞名，是業界唯一達成 1250 V 和1700 V 氮化鎵器件量產的供應商。其產品包括一下優勢：
- 開關切換損耗更低
- 效率更高
- 可實現更輕薄短小的設計
我們的 1250 V PowiGaN 技術可在簡單的半橋拓撲直接將 800 V 轉換至 12 V，提供無與倫比的功率密度——對於每一公釐空間和淨空都彌足珍貴的伺服器主機板來說，這是一個關鍵優勢。
PowiGaN 為何能技術領先
- 深受認可的可靠性
在嚴苛環境中經年累月經受考驗的卓越性能 - 效率極高的反激變換器
在整個負載範圍內效率高達95% - 緊湊型低溫升設計
在密閉的適配器應用中無需散熱片即可實現高達200W的輸出功率 - 寬電壓範圍
提供750V、900V、1250V和1700V開關選項 - 共源共柵結構
簡化柵極驅動設計，提升短路耐受力，確保安全可靠的開關操作 - 高頻率開關
實現更高的效率、更小的磁性元件和出色的溫升性能
下載 PowiGaN 技術產品傳單。
準備好深入了解氮化鎵和 PowiGaN 了嗎？
高性能氮化鎵的影片分析
樹立氮化鎵品質和可靠性的標桿
Power Integrations 完全掌控 PowiGaN 器件的製造過程，並進行專為這一系列產品設計的大量測試，以確保基於 PowiGaN 的產品具備初始品質、耐用性和長期可靠性。
首款 1700 V 氮化鎵的功率器件
我們對整合1700 V 氮化鎵開關的 InnoMux-2 返馳式開關 IC 進行了解析。該設計評估板在一款具有兩路獨立穩壓輸出且無需DC-DC後級穩壓電路的 60 W 工業電源中實現了 90% 效率。
800 VDC 資料中心的輔助電源
InnoMux™2-EP IC内集成的 1700 V PowiGaN 開關支持高達 1000 VDC 的输入電壓，同步整流零電壓開關 (SR ZVS) 運作模式在無風扇液冷的 800 VDC 結構中可為 12 V 系統實現超過 90.3% 的效率。
相關參考設計
- DER-1025 - 使用InnoSwitch3-EP（1250V PowiGaN開關）的60W隔離返馳式電源
- DER-982 - 使用InnoSwitch3-EP（900V PowiGaN開關）的60W隔離返馳式電源隔离反激式适配器
- DER-868 - 使用InnoSwitch3-EP（750V PowiGaN開關）的60W隔離返馳式電源
- RDR-1053 - 使用InnoMux2-EP（1700V PowiGaN開關）的60W雙路輸出返馳式電源
探索 PowiGaN 如何提升您的 AI 資料中心系統性能。
