充电头网2025世界氮化镓大会

由充电头网举办的2025世界氮化镓大会即将于7月31在充电头网视频号平台线上举办，本次研讨会将邀请多家知名第三代半导体企业带来精彩演讲，并与各位观众一同探索氮化镓领域前沿新风向。

PI专题演讲

PowiGaN: 前沿氮化镓技术

• 15:00 - 15:20
• 余兴，PI公司资深应用工程师

在实现多路输出离线功率变换的设计方面，离线反激式功率变换被公认为是具有极高性价比的方法。在同时具有高输入电压和高输出电压的应用中，初级开关的电压应力一直是一个限制因素。这些应用包括焊接设备、工业设备辅助电源、照明和电动汽车充电。在这些应用中，输出电压通常超过50V，在功率开关关断期间，该电压会反射到功率变换器的初级侧。变压器圈数比可增加施加到初级的电压（称为“输出反射电压”，简称为VOR），该电压会加到直流母线电压上，而直流母线电压由输入电压与功率变压器初级绕组中存储的漏感能量换向引起的关断电压尖峰（存储的漏感能量所产生的电压，简称为VLE）决定。这三个因素在增加了初级开关的电压应力。

在Power Integrations推出的InnoSwitch3-EP和InnoMux2系列IC中，其内部分别集成了采用PowiGaN™技术的具有极高性价比的900V、1250V和1700V开关，这些器件可大大简化高压环境下单路输出和多路输出电源的设计。在本讲座中，我们将介绍这项新技术，展示其在实际功率变换电路中的应用，并明确指出可从这项技术中受益的新应用。开关损耗不容忽视，因为当V_DS电压增至230VAC以上时，二阶电压效应会变得非常明显。此外，我们还将深入探讨多项软开关技术，了解如何对施加到功率开关COSS上的极高漏源极电压的影响加以控制（尽管随着宽禁带半导体开关特性的改进，这种影响已有所降低）。