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业界首款1700V氮化镓（GaN）开关现已在InnoMux-2 IC系列的新产品中推出，大大扩展了GaN技术的应用范围。

Power Integrations 公司研发的 PowiGaN氮化镓技术产品，制造过程全程由本公司独立完成。为保障采用这种新技术的产品质量完美无瑕疵、坚韧耐用，我们特别加入多种标准严苛的测试流程。营销及应用工程副总裁Doug Bailey先生为您介绍。

PI 营销副总裁 Doug Bailey 先生剖析 The Power of Integration - 高集成的强大功效。SCALE EV 门极驱动器电路板产品专为汽车级Econo-Dual模块设计，可减少50%元件数。

DER-1030Q describes a low-profile 20 W power supply with four outputs for 800 V BEV applications, such as gate driver and emergency power supply. It features a wide-creepage InnoSwitch3-AQ flyback...

DER-1045Q describes a low-profile 16 W power supply with four outputs for 800 V BEV auxiliary or gate driver power supplies. It features a wide-creepage InnoSwitch3-AQ flyback switcher IC with...

RDK-994Q describes a ultra-low-profile 35 W power supply for 800 V BEV automotive applications, such as gate driver and emergency power supply. It features a wide-creepage InnoSwitch3-AQ flyback switcher IC...

RDK-1054Q 描述了一种用于800V电动汽车应用的超薄120 W电源，用于微型DC-DC或替换12 V电池。它采用了具有1700V SiC开关的宽爬电距离InnoSwitch3-AQ反激开关集成电路，提高了系统可靠性。该设计还采用了超薄平面变压器，将电路板的高度降低到仅14.6毫米。

符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC现在提供宽爬电封装选项。5.1mm的宽漏源极引脚爬电距离在800V电动汽车应用中无需喷涂三防漆。

该设计展示了InnoSwitch4-QR反激开关IC在超薄100W LED驱动板中的优势，适用于LED灯带和线性灯具。

RDK-1039Q 描述了一种用于800V电动汽车应用的超薄18W电源，用于电动汽车门极驱动和应急电源。它采用了具有1700V SiC开关的宽爬电距离InnoSwitch3-AQ反激开关集成电路，提高了系统可靠性。该设计还采用了超薄平面变压器，将电路板的高度降低到仅12.5毫米。

TinySwitch开关集成电路家族已出货超过60亿个，成为小型电源的标准。现在，新一代TinySwitch-5设备将最大输出功率提高到175瓦，最大效率提高到92%，而无需更改原理图。

Power Integrations的Qspeed H系列二极管现已提供650V和高达30A的额定值。它们提供了碳化硅（SiC）二极管的有力替代方案，具有相近的效率和电压降额性能。

我们 HiperLCS-2 产品系列的新成员可提供高达 1650W 的连续输出功率，效率超过 98%。它们减少了半桥 LLC 谐振电源转换器的元件数量和电路板面积。

该 60V/12A 充电器采用 HiperPFS-3 器件的功率因数校正 (PFC) AC-DC 转换器和 HiperLCS-2 芯片组的隔离 LLC 转换器。HiperLCS2-HB 谐振半桥开关 IC 采用热效率高的 POWeDIP 封装，减少了外壳体积，消除了对通风口和风扇的需求。

该 48V/15A 电源采用 HiperLCS-2 芯片组的同步整流 (SR) LLC 谐振半桥转换器。HiperLCS2-HB 谐振半桥开关 IC 采用热效率高的 POWeDIP 封装，减少了外壳体积，消除了对通风口和风扇的需求。